フラッシュオーバープロセスへの影響
現場では、セラミック絶縁体は親水性であるため、表面汚染が濡れて連続的な水の導電膜を形成する可能性があります。しかし、SR 絶縁体の場合、その疎水性表面によりそのような皮膜の形成が防止され、優れた電気的強度が得られます。しかし、これを理解するには、汚染層全体ではなく、表面の疎水性のみを考慮する必要があります。研究によると、UV と温度の影響下では、シリコンバルク内の LMW 種が、シリカやその他の不溶性成分の助けを借りて表面に移動することがわかっています。-この後、基本的に塩の周囲に疎水性のカバーが形成され、汚染層の中に水分が入りにくくなります。したがって、塩の溶解総量と速度は減少し、表面の水の導電率は低下します。たとえ表面が雨や霧で完全に濡れたとしても、疎水性カバーにより溶解速度が遅くなります。
この点に関するもう 1 つの重要な問題は、天候による濡れが SR 絶縁体に与えるさまざまな影響に関するものです。降水強度が低い場合、これらの絶縁体の表面は徐々にしか濡れなくなり、表面の塩が完全に溶け出すことができないことを意味します。降水率が高い場合、汚染物質は絶縁体から急速に排出され、疎水性汚染層の塩は水に完全に溶解する時間がありません。したがって、ＳＲ絶縁体がフラッシュオーバーを経験すると、汚染物質中の塩の一部だけが実際に水に溶解する。すなわち、すべての塩がフラッシュオーバープロセスにおいて「有効」であるわけではない。
汚染測定結果への影響
SR 絶縁体の ESDD 測定のための本方法は、セラミック絶縁体に使用されるのと同じプロセスに従います。この方法論によれば、塩損失残留物を残さずにすべての汚染を除去するために、汚染を洗い流し、300 mlの水に溶解します。
しかしながら、汚染層への疎水性の移行のため、上記の汚染測定方法中の塩の溶解プロセスは、フラッシュオーバープロセス中に実際に起こるものとは異なる。まず、この方法は汚染物質からすべての塩を溶解しようとしますが、SR 碍子の場合、湿潤状態では一部のみが溶解し、フラッシュオーバー時に効果的です。第二に、この方法は疎水性を完全に破壊し、汚染物を水に溶解することにより、すべての汚染物を除去します。しかし、前述したように、SR がいしの場合、塩は時間をかけて表面から徐々にしか溶け出しません。したがって、現在の方法論で得られた ESDD は、そのような絶縁体のフラッシュオーバーに有効な汚染レベルを正確に特徴付けるものではありません。理想的には、SR 絶縁体のフラッシュオーバーに対する有効な塩析出密度を取得するための新しい試験方法を見つけるための研究を実施する必要があります。つまり、SR絶縁体の汚染層への疎水性の移行は、塩の溶解に重大な影響を及ぼし、汚染層内の塩の一部のみがフラッシュオーバープロセスで役割を果たすようになる。現在の測定方法で得られた ESDD は、この事実をまったく反映していません。
SR絶縁体の実効等価塩類堆積密度
操作経験と実験室試験に基づいて、SR がいしの汚染フラッシュオーバーのプロセスに関与する塩の実際の有効量を特徴付けるための別の概念が提案されました。
EESDDの定義
有効等価塩類堆積密度（EESDD）は、SR絶縁体の単位面積あたりの湿潤汚染層に溶解した（すなわち有効な）塩の等価NaCl重量として定義できます。これは、実効 ESDD、ECDD (等価汚染堆積物密度)、または EDSDD (等価溶解塩堆積物密度) とも呼ばれます。
IEC 60815 の ESDD の定義によれば、有効等価塩類堆積密度は次のように計算されます。
EESDD=S / A0
ここで、S は測定された溶解塩の等価 NaCl 重量 (mg)、A0 は試験面積全体です。
EESDD の人工汚染テストの結果と分析。 EESDD のこの定義に従って、異なる疎水性移行時間と汚染度で一連の人為的汚染試験が実施されました。図. 1は、疎水性転移時間、つまりサンプルが汚染されてから測定されるまでの期間に対する、結果として得られるEESDD/SDD曲線を示しています。
図. 1から、EESDD/SDDの比は疎水性の移行の1〜2日後に大幅に減少し、約4日後に定常状態の値に達することがわかります。さらに、疎水性が汚染層に十分に移行すると、測定されたEESDD値は元のSDD値の20〜30%にすぎません。これは、汚染層内の塩の一部のみが溶解し、残りは層内で保護されていることを意味します。疎水性汚染層。したがって、塩の溶解部分は汚染物内で有効な塩であり、この点で、疎水性が高ければ高いほど、溶け出す塩は少なくなる。
EESDDの測定方法
その定義に従って、EESDDを求めるための新しい測定方法が提案されています。この方法は実際の溶解プロセスを反映しており、現場または実験室で簡単に実施できます。
測定手順
濡れ性クラス (WC 値) と EESDD の両方を取得する手順には、一連の特定の手順が含まれます。
1. 試験装置とサンプルを準備します。つまり、A0 を取得します。
2. サンプルにスプレーして WC 値を取得し、テストサンプルからすべての液滴をビーカーに集めます。
3. サンプルをさらに 25 回スプレーし、テストサンプルからすべての液滴を同じビーカーに集めます。
4. ビーカー内の水を 100 ml に希釈し、導電率を測定します。次に、塩の重量 S (mg) を計算します。
5. EESDD=S / A0 を計算します
6. (NSDD の測定が必要な場合)、IEC 標準方法に従って 100 ml の NSDD1 と残留サンプル汚染の NSDDR、つまり NSDD=NSDD1 +NSDDR を取得します。
7. (ESDD を取得する必要がある場合) (IEC 標準方法に従って) 残留サンプル汚染の ESDDR を取得します。次に、ESDD=EESDD + ESDDR。
2. SR碍子の自然汚染測定結果
3. 1999 年から 2000 年にかけて、中国で合計 50 個の SR がいしが選択され、テストされた現地汚染調査が実施されました。これらの碍子はさまざまなメーカーから提供され、都市、海洋、発電所、セメント工場、化学プラント、レンガ工場、農場などを含むさまざまなタイプの使用環境で運転されました。SR 碍子の EESDD は上記の方法を使用してテストされ、さまざまな小屋表面の EESDD と ESDD の両方が得られました。図. 2 は、田舎の農場環境で 1 年半運転した特定の SR 碍子の測定結果です。交流110kV。直径１２０／８０ｍｍの碍子上に１４個のシェッドがあった（シェッド番号は通電端から１から１４まで数えた）。濡れ性クラス (WC) 試験の結果、疎水性は一般に高電圧側から接地側に向かって良くなり、物置の上面では WC5 から WC2、下面では WC7 から WC5 の値が得られました。
4. EESDD 測定結果は次のことを示しました。
5. 1. 湿潤状態では塩の 20% 以上が溶解しませんでした。
2. EESDD と ESDD にはかなりの一貫性があります。 ESDD が高い場合、同じ表面の EESDD は他の表面よりも同様に高くなります。
3. シェッド上面の場合、WC 値は下面よりも低く、EESDD/ESDD 比も低くなります。小屋の下面の場合、WC はより高く、EESDD/ESDD もより高くなります。
図. 1と2を比較すると、テスト結果はかなりの一貫性を示しています。 EESDD は実際に存在し、測定可能です。つまり、概念とテスト方法の両方が有効であり、証明されています。
結論
1. この記事は、セラミックがいしと SR がいしのフラッシュオーバー プロセスをまったく異なるものにする、塩の溶解プロセスに対する疎水性転移の影響を分析します。したがって、セラミック汚染データに基づいた現在のサイトマッピングは、明らかに SR 碍子の構成を利用するために最適化されていません。
2. 汚染層からの塩の溶解は、絶縁体の疎水性転移特性によって遅くなり、実際には汚染層内の塩の一部のみが溶解します。その結果、SR 碍子の湿潤汚染伝導率はセラミック碍子よりも低くなります。
3. SR 絶縁体の有効 ESDD を特徴付けるために、EESDD と呼ばれる新しい概念が提案されています。試験結果により確認された実際の測定可能な値です。
4. EESDD を測定する方法が提案され、使用中の SR 絶縁体の試験に適用されました。この方法では、最初に WC テストを実行し、次に表面にさらに数回スプレーする必要があります。これらのステップ中にサンプル表面上のすべての液滴をビーカーに集めてから、100 ml の水で希釈します。次に、100 ml 溶液の導電率に従って等価塩 S を計算できます。対応する EESDD は単純な除算、S/A0 によって得られます。
https://www.inmr.com/効果的な-等価-塩-堆積物-密度-シリコーン-絶縁体-概念-提案された-試験-方法/